拓扑绝缘体纳米材料制备及特性研究
第六届海内外中华青年材料科学技术研讨会（2015）——通过气相化学沉积(CVD)的方法成功制备了Bi2Te3薄膜，发现这些薄膜材料是由Bi2Te3纳米片连接而成。通过控制温度、气压、输运气体流量等条件，可以控制制备不同尺寸纳米片及不同纳米片密度的薄膜材料。在Bi2Te3薄膜中发现线性磁电阻现象，即使外场加到14T，仍显示不饱和趋势。研究不同致密度薄膜材料，发现在很大磁电阻范围内，线性磁电阻和材料迁移率间存在普遍关系，即同一材料中，磁电阻和迁移率都随温度增加而减小。而不同致密度薄膜材料中，磁电阻和迁移率成正比关系。这些结果说明迁移率的涨落导致了典型线性磁电阻，这与Parish和Littlewood提出的理论完全吻合。我们有关Bi2Te3薄膜研究结果提供明确证据，证实材料物理上或结构上不均匀性是线性磁电阻的来源，并且为控制拓扑绝缘体材料磁电阻提供新的方法。
关键词： 气相化学沉积 薄膜 纳米片 线性磁电阻 拓扑绝缘体 第六届海内外中华青年材料科学技术研讨会（2015）
主讲人：研究员 王振华 机构：中国科学院金属研究所
时长：0:19:00 年代：2015年
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