第二届重庆材料大会——介绍了Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的研究已经取得了很大的进展:(1)通过改变Li的含量和掺杂浓度，可以实现电性和磁性的分离调控。(2)随着掺杂浓度的増大，体系磁矩逐渐増大，居里温度升高，实验测得Li(Cd,Mn)P的居里温度接近于室温。(3)已经证实了某些DMS材料的铁磁性起源机制。
关键词： 自旋电子 稀磁半导体 磁电 第二届重庆材料大会
主讲人：副教授 丁守兵 机构：重庆师范大学
时长：0:15:05 年代：2020年
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