GeSe低维材料及其混合异质结光探测器研究
第二届重庆材料大会——介绍了重点开展了单晶GeSe、MoS2等二维材料的大面积制备技术、电子能带结构及其相关的光-电子性质研究，以及基于二维材料顶点转移技术的混合异质结材料的制备技术研究。突破基于GeSe二维材料的p-g-n机构的混合异质结器件加工的关键问题；完成GeSe-graphene-MoS2二维材料p-g-n结构快速、宽谱、红外光探测混合异质结器件样品的研制等。
关键词： GeSe
电子器件
单晶
第二届重庆材料大会
主讲人：研究员 赵洪泉
机构：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
时长：0:14:43
年代：2020年
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