The Study on GeTe Phase Change Films Applied in Two-Port Directly Heated Switch
第八届全球材料科学与工程会议——Gete was crystallized after annealing at 240 C , higher annealing temperaturewould be harmful to phase change transition because of extra power comsuptionThe Rhombohedral structure is a good option as phase change switch;Amorphous Ge Te has four vibration modes and its bond energy decreasing causedred-shift about 40cm when transforming into crystal state .
关键词： study ;switch; films 第八届全球材料科学与工程会议
主讲人：Mr. Sheng Qu 机构：University of Electronic Science and Technology of China
时长：0:12:54 年代：2019年
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