Fabrication and Properties of SiC Nanofiber/wire Paper（1）
2016中国国际功能材料大会(CIFM 2016)——Silicon carbide as a third generation semiconductor material is suitable for the fabrication of high-performance electronic and short-wavelength optic devices in severe environment, especially at high temperature.
关键词： silicon carbide;vanofiber;wire paper 2016中国国际功能材料大会(CIFM 2016)
主讲人：A.P. Jianjun Chen 机构：Zhejiang Sci-Tech University, China
时长：0:12:08 年代：2016年
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