Direct Growth of Two-Dimensional Crystals on Dielectrics at Low temperature for Nanodevices（1）
2016中国国际功能材料大会(CIFM 2016)——Moderate etching by a hydrogen plasma during plasma‐enhanced chemical vapor deposition led to a critical equilibrium state of graphene edge growth in which graphene hexagonal single crystals or continuous graphene films were produced directly on dielectric substrates at 40065°C without a catalyst (see picture).
关键词： direct growth;two-dimensional crystal;nanodevice 2016中国国际功能材料大会(CIFM 2016)
主讲人：Prof. Dacheng Wei 机构：Fudan University, China
时长：0:14:18 年代：2016年
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