第十二届国际真空冶金与表面工程学术会议（ICVMSE 2015）——快速热处理温度的升高，位错减少的越为明显，硅片的位错密度随快速热处理温度的升高而呈现降低的趋势。随着快速热处理温度的升高，硅片的少子寿命逐渐降低，同时电阻率也逐渐降低。
关键词： 快速热处理 冶金法 多晶硅 电学性能 第十二届国际真空冶金与表面工程学术会议（ICVMSE 2015）
主讲人：硕士 高隆重 机构：昆明理工大学真空冶金国家工程实验室
时长：0:10:59 年代：2015年
京公网安备11010802020237号 |