Low-Temperature Catalyst-Free Growth of Graphene Crystals on Dielectrics for Nanodevices
第二届海峡两岸功能材料科技与产业峰会（2015）——Nitrogen doping is one of the most promising routes to modulate the electronic characteristic of graphene. Plasma-enhanced chemical vapor depostion (PECVD) enables low-temperature graphene growth. However, PECVD growth of nitrogen doped graphene (NG) usually requires metal-catalysts, and to the best of our knowledge, only amorphous carbon–nitrogen films have been produced on dielectric surfaces by metal-free PECVD.
关键词： chemical vapor deposition;doping;graphene;nanomaterials;scanning probe microscopy 第二届海峡两岸功能材料科技与产业峰会（2015）
主讲人：Prof. Dacheng Wei 机构：Fudan University
时长：0:19:31 年代：2015年
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