原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜的晶格质量调制研究
2014中国功能材料科技与产业高层论坛——本文采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜。在前驱体脉冲时，通过施加不同大小和方向的电压，可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行调制。场对薄膜的调制机理为：当在腔室内施加电场时，极性的前驱体分子受到电场偶极矩的作用，使得分子发生偏转并且沿着电场线方向加速的向衬底运动，这对衬底表面化学反应的强度以及发生反应后分子的排列产生影响，进而影响到制备所得薄膜的结构和性能。这种E-ALD技术为半导体薄膜的制备技术提供了一条新的途径，有望制备出可设计性的膜。
关键词： 原子层沉积技术 ZnO薄膜 可变电场 择优取向 2014中国功能材料科技与产业高层论坛
主讲人：助理研究员 卢维尔 机构：中国科学院微电子研究所微电子设备技术实验室
时长：0:18:19 年代：2014年
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