原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜的晶格质量调制研究

2014中国功能材料科技与产业高层论坛——本文采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜。在前驱体脉冲时,通过施加不同大小和方向的电压,可以对制备所得ZnO薄膜的晶体择优取向和结晶性能进行调制。场对薄膜的调制机理为:当在腔室内施加电场时,极性的前驱体分子受到电场偶极矩的作用,使得分子发生偏转并且沿着电场线方向加速的向衬底运动,这对衬底表面化学反应的强度以及发生反应后分子的排列产生影响,进而影响到制备所得薄膜的结构和性能。这种E-ALD技术为半导体薄膜的制备技术提供了一条新的途径,有望制备出可设计性的膜。


关键词: 原子层沉积技术 ZnO薄膜 可变电场 择优取向 2014中国功能材料科技与产业高层论坛

主讲人:助理研究员 卢维尔 机构:中国科学院微电子研究所微电子设备技术实验室

时长:0:18:19 年代:2014年