宽带隙II-VI族半导体量子红外光电器件的应用
2014中国功能材料科技与产业高层论坛——宽带隙II-VI族化合物半导体能带覆盖了从紫外到红光的整个波段,在全色显示。在文章中，我们报道了分子束外延的技术在(001)取向的InP衬底上外延生长亚稳态ZnxCdi_xSe/MgSe低维量子阱结构，并通过光致发光和子带吸收的方法，分析了其能带结构。通过计算不同阱宽的能带与光致发光实验比较，证明了ZnxCd1?xSe/MgSe的导带带阶为1.2eV，价带带阶为0.27eV。在这个结构中，观察到了半高宽很窄的（3~5!m)中红外吸收。为了实现近红外吸收，用CdSe替代了ZnxCdi_xSe阱层，使带阶达到1.6eV，在实验上观察到CdSe/MgSe量子阱中波长小于2!m的近红外吸收。计算结果显示通过利用量子阱中的耦合效应，可以实现1.55微米光通信波段的吸收。
关键词： 宽带隙II-VI族化合物半导体 分子束外延 红外光电器件 2014中国功能材料科技与产业高层论坛
主讲人：教授 李炳生 机构：哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院
时长：0:20:43 年代：2014年
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