II-VI族半导体纳米结构中掺杂效应与光学性质的调控

第八届中国功能材料及其应用学术会议——本报告由北京理工大学教授邹炳锁所作,报告中总结了以下三点内容:1、掺杂经常不是均匀的行为,高密度掺杂尤其不是;2、纳米线掺杂可以产生很多新结构和新物理效应;3、稀磁半导体的发光和铁磁性共存和调控,可能为下一代信息器件开辟道路。


关键词: II-VI族 半导体 纳米结构 掺杂效应 光学性质

主讲人:邹炳锁教授 机构:北京理工大学

时长:0:22:34 年代:2013年