万方视频_用于纳米CM0S集成电路的新沟道材料研究动向

用于纳米CM0S集成电路的新沟道材料研究动向

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第八届中国功能材料及其应用学术会议——本报告由南京大学教授赵毅所作，报告中介绍了现代CMOS集成电路发展趋势，提高CMOS器件中载流子迁移率的重要性以及高迁移率新沟道材料CMOS器件研究动向等内容。

关键词： 功能材料 CMOS 集成电路载流子迁移率新沟道材料第八届中国功能材料及其应用学术会议

主讲人：赵毅教授 机构：南京大学

时长：0:19:40 年代：2013年

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