氮化物半导体材料发展现状与展望(2)

2013海峡两岸功能材料科技与产业峰会——1993年第一只高亮GaN基蓝光LED诞生,随即在全球掀起Ⅲ族氮化物半导体研发热潮。III族氮化物半导体是继第一代半导体材料Ge、Si,第二代半导体材料GaAs、InP之后发展起来的第三代半导体材料,它是由GaN、AlN和InN三种基质半导体组成的材料体系,它不同于传统的半导体材料,是一种具有很强压电、铁电性的宽广带隙、直接能隙半导体材料,覆盖了从0.7eV到6.2eV的宽广能隙和从1.77m到0.20m宽广光学窗口,具有极其独特的光、电性质,作为新一代功能半导体材料,突破传统半导体技术的局限,发展成为半导体的新一代技术-III族氮化物半导体技术,在光电子和微电子领域中开拓了新应用,不仅推动了当代信息技术的新发展,而且深入到现代能源领域,作为高能效的电/光、光/电的能量转换技术,在现代能源技术领域的“节能减排”中发挥了重要作用。本片介绍III族氮化物半导体材料目前的发展现状与今后发展趋势,并讨论分析III族氮化物半导体材料发展面临的若干基础科学问题。


关键词: 氮化物半导体材料 光电子 信息技术 能量转换技术

主讲人:郑有炓院士 机构:中国科学院

时长:0:25:09 年代:2013年