褚君浩院士系列课程

课程介绍

褚君浩院士是我国半导体物理和器件专家，现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任，华东师范大学信息科学技术学院院长，第十届全国人大代表。褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据，为中国物理科学

课程章节

我的科学生涯

太阳能光伏电池发展趋势

科学家也关心社会建设

光电科学技术和低碳地球

关于新工业革命的思考和对策工业革命的科技源头

智慧地球、物联网和光电传感器

窄禁带半导体的光电跃迁效应

讲师介绍

讲师：褚君浩

职称：院士

简介：褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据；开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究，研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像，为中国物理科学和研究作出了重大贡献。学术研究成果：发表论文200余篇，研究结果被国内外广泛引用并被大篇幅写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中。被国际权威的Landolt-Bornstein科技数据集特邀为“含Hg化合物部分”修订负责人。研究结果为风云气象卫星及其它红外系统的探测器研制提供科学依据。在铁电薄膜研究方面也取得突出进展。关于窄禁带半导体光学和电学性质研究曾获1992年中科院自然科学一等奖，1993年国家自然科学三等奖。关于窄禁半导体的晶格振动行为研究曾获1987年中科院科技进步一等奖和1987年国家自然科学四等奖；关于半导体表面二维电子气研究曾获1995年中科院自然科学二等奖。关于红外国辐射国探测材料物理研究获得1999年中科院自然科学二等奖等等。