万方视频_Progress on Room Temperature Fabricated Metal Oxide Semiconductor Thin Film Transistors（1）

Progress on Room Temperature Fabricated Metal Oxide Semiconductor Thin Film Transistors（1）

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2017中国（国际）功能材料科技与产业高层论坛——Fully RT-prepared and flexible MOS TFTs with high performance on plastic substrates was achieved.

关键词： Fabricated Metal Oxide;Semiconductor;Thin Film Transistors 2017中国（国际）功能材料科技与产业高层论坛

主讲人：Prof. Honglong Ning 机构：South China University of Technology

时长：0:13:48 年代：2017年

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