CdZnTe晶体中缺陷能级诱导的光电导特性研究
第六届海内外中华青年材料科学技术研讨会（2015）——本文研究了Cd0.9Zn0.1Te:In晶体在低温光照条件下的光电导（PPC）特性。载流子在缺陷能级上的产生-复合-俘获过程趋于相对平衡，形成PPC瞬变特性并揭示载流子输运特性。因此，输运特性可以反映在PPC特性中，并且可以通过热激电流（TSC）谱进行实验研究。PPC 上升过程的时间相关性来源于四个缺陷能级上的四个独立的光激发过程，而对上升过程进行拟合的多指数函数包含四个俘获率。随着低温光照时间的增加，结合PPC瞬变特性和TSC谱，采用单指数函数对独立的光激发过程进行拟合得到缺陷能级的俘获率，从而实现对PPC特性的表征。对光电导特性和输运特性的理解有利于基础物理和器件应用的深入分析。
关键词： CdZnTe晶体 低温光照 光电导特性 缺陷能级 输运特性 第六届海内外中华青年材料科学技术研讨会（2015）
主讲人：副教授 徐凌燕 机构：西北工业大学
时长：0:16:25 年代：2015年
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